莱姆不断创新，研发出基于霍尔效应的传感器，其性能可与磁通门技术的传感器媲美。这一切得益于基于霍尔效应的ASIC技术的问世。日前，莱姆推出全新传感器，莱姆第一次把ASIC新技术应用于闭环原理的电流传感器，此集成电路大幅提高了产品性能，LEM拥有其专利。通过了CE认证，符合EN 50178和EN 50155标准，并享受五年质保服务。新产品已经超越了先前对霍尔效应技术极限性能的预期。 全新的产品具备更高的性能和便利的安装方式，可用于需要提高控制精度及自动化程度的应用领域，以提升生产能力和能源效率。适宜在任何工业或牵引应用中使用。莱姆新产品系列实现了全新的突破。与前一代闭环霍尔效应电流传感器相比，在全工作温度范围内，总精度提高了一倍，最大零点漂移为IPN的0.1 %。另一个重要的优点是：对于被测电流以外的其他电流（AC或DC）所产生的磁场具有较强的抗干扰能力。由于其不受邻近的其它元器件产生磁场的影响，因此，可在恶劣的应用环境中进行更便捷的产品布局。该系列产品在性能方面与磁通门相当，同时还为客户提供了更优化的控制和更高的系统效率。具有更好的性价比，并克服了磁通门噪声、原边电流启动等缺点，而且过载后重启没有延迟。提供适用于各个电流范围的各种尺寸和面板安装要求（平面或垂直），丝毫不会影响原边电路和测量电路之间的高绝缘等级。

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